TPR1000A

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Spécifications

Modèle de produit

TPR1000A
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

RF POWER TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

65V
Transistor Type

-
Package composant fournisseur

55KV
Séries

-
Puissance - Max

2900W
Package / Boîte

55KV
Température de fonctionnement

200°C
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

6dB
Fréquence - Transition

1.09GHz
Description détaillée

RF Transistor 65V 80A 1.09GHz 2900W Chassis Mount 55KV
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

80A

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BFU550XAR

La description:

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale

En stock

TPR1000A

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