S200-50

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Spécifications

Modèle de produit

S200-50
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

S200-50.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

110V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

55HX
Séries

-
Puissance - Max

320W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

55HX
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

12dB ~ 14.5dB
Fréquence - Transition

1.5MHz ~ 30MHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 110V 30A 1.5MHz ~ 30MHz 320W Chassis Mount 55HX
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

30A

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Ce qui suit est des produits liés à "S200-50".

S2004DS1TP

La description: SCR SENS 200V 4A TO-252

Fabricant: Hamlin / Littelfuse

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