MS2554A

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Spécifications

Modèle de produit

MS2554A
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

RF POWER TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

65V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

M216
Séries

-
Puissance - Max

600W
Package / Boîte

M216
Température de fonctionnement

200°C
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

6.2dB
Fréquence - Transition

1.025GHz ~ 1.15GHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 65V 17.8A 1.025GHz ~ 1.15GHz 600W Chassis Mount M216
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

17.8A

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MS2552

La description: TRANS RF BIPO 880W 24A M112

Fabricant: Microsemi

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