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MS2212

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MS2212
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS RF BIPO 50W 1.8A M222
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MS2212.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    55V
  • Transistor Type
    NPN
  • Package composant fournisseur
    M222
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    50W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    M222
  • Température de fonctionnement
    250°C (TJ)
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    -
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gain
    8.1dB ~ 8.9dB
  • Fréquence - Transition
    960MHz ~ 1.215GHz
  • Description détaillée
    RF Transistor NPN 55V 1.8A 960MHz ~ 1.215GHz 50W Chassis Mount M222
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    15 @ 500mA, 5V
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    1.8A

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Ce qui suit est des produits liés à "MS2212".
TSW-103-20-L-S

TSW-103-20-L-S

La description: .025'' SQ. TERMINAL STRIPS

Fabricant: Samtec, Inc.
En stock
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