MDS1100

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Spécifications

Modèle de produit

MDS1100
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MDS1100.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

65V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

55TU-1
Séries

-
Puissance - Max

8750W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

55TU-1
Température de fonctionnement

200°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

8.9dB
Fréquence - Transition

1.03GHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100A

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Ce qui suit est des produits liés à "MDS1100".

MDS02L-15

La description: DC DC CONVERTER 15V 2W

Fabricant: MEAN WELL

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