JANTXV2N7371

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV2N7371
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP DARL 100V 12A TO254
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV2N7371.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A
Transistor Type

PNP - Darlington
Package composant fournisseur

TO-254AA
Séries

Military, MIL-PRF-19500/623
Puissance - Max

100W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Autres noms

1086-16226
1086-16226-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 100W Through Hole TO-254AA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

12A

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Ce qui suit est des produits liés à "JANTXV2N7371".

JANTXV2N7334

La description: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

Fabricant: Microsemi Corporation

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JANTXV2N7371

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