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JANTXV2N5415

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JANTXV2N5415
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PNP 200V 1A TO-5
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JANTXV2N5415.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    200V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    2V @ 5mA, 50mA
  • Transistor Type
    PNP
  • Package composant fournisseur
    TO-5
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/485
  • Puissance - Max
    750mW
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Autres noms
    1086-21047
    1086-21047-MIL
  • Température de fonctionnement
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 200V 1A 750mW Through Hole TO-5
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    1mA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    1A

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Ce qui suit est des produits liés à "JANTXV2N5415".
SI5338C-B08401-GMR

SI5338C-B08401-GMR

La description: I2C CONTROL, 4-OUTPUT, ANY FREQU

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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