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JANTXV2N4957UB

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV2N4957UB
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 30V 30MA
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV2N4957UB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

UB
Séries

-
Puissance - Max

200mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

3-SMD, No Lead
Autres noms

1086-20997
1086-20997-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Gain

25dB
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

30mA

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "JANTXV2N4957UB".

CL21B105KBFNNNF

La description: CAP CER 1UF 50V X7R 0805

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

En stock

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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