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JANTX2N3810L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JANTX2N3810L
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2PNP 60V 0.05A
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JANTX2N3810L.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    60V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 100µA, 1mA
  • Transistor Type
    2 PNP (Dual)
  • Package composant fournisseur
    TO-78-6
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/336
  • Puissance - Max
    350mW
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-78-6 Metal Can
  • Autres noms
    1086-2710
    1086-2710-MIL
  • Température de fonctionnement
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    23 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    150 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    10µA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    50mA

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MMF-50BRD100R

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La description: RES SMD 100 OHM 0.1% 1/2W MELF

Fabricant: Yageo
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