JANTX1N485B

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Spécifications

Modèle de produit

JANTX1N485B
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTX1N485B.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

200mA (DC)
Tension - Ventilation

DO-35
Séries

Military, MIL-PRF-19500/118
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms

1086-15378-MIL
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JANTX1N485B
Description élargie

Diode Standard 180V 200mA (DC) Through Hole DO-35
Configuration diode

25nA @ 180V
La description

DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35
Courant - fuite, inverse à Vr

1V @ 100mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

180V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "JANTX1N485B".

JANTX1N4944

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi

En stock

JANTX1N485B

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