JANTX1N3671AR

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Spécifications

Modèle de produit

JANTX1N3671AR
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTX1N3671AR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard, Reverse Polarity
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

12A
Tension - Ventilation

DO-203AA (DO-4)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/260
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms

1086-16805
1086-16805-MIL
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JANTX1N3671AR
Description élargie

Diode Standard, Reverse Polarity 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Configuration diode

5µA @ 800V
La description

DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
Courant - fuite, inverse à Vr

1.35V @ 38A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

800V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "JANTX1N3671AR".

HER202G A0G

La description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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