JANSR2N5153

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Spécifications

Modèle de produit

JANSR2N5153
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

RH POWER BJT
État sans plomb / État RoHS

RoHS non conforme
Livret des spécifications

JANSR2N5153.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-39 (TO-205AD)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/545
Statut RoHS

RoHS non-compliant
Puissance - Max

1W
Package / Boîte

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

33 Weeks
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 2A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A

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Ce qui suit est des produits liés à "JANSR2N5153".

JANSR2N2369AUB

La description: TRANS NPN 15V SMD

Fabricant: Microsemi Corporation

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