JANSF2N2222AL

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Spécifications

Modèle de produit

JANSF2N2222AL
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

NPN TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

RoHS non conforme
Livret des spécifications

JANSF2N2222AL.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-18
Séries

Military, MIL-PRF-19500/255
Statut RoHS

RoHS non-compliant
Puissance - Max

500mW
Package / Boîte

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

800mA

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JANSF2N2222A

La description: SMALL-SIGNAL BJT

Fabricant: Microsemi

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