JAN2N5014

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N5014
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

NPN TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

RoHS non conforme
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

900V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-5
Séries

Military, MIL-PRF-19500/727
Statut RoHS

RoHS non-compliant
Puissance - Max

1W
Package / Boîte

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

200mA

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JAN2N5151

La description: TRANS PNP 80V 2A TO-39

Fabricant: Microsemi

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