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JAN2N2221A

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN2N2221A
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN 50V 0.8A TO18
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN2N2221A.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Transistor Type
    NPN
  • Package composant fournisseur
    TO-18 (TO-206AA)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/255
  • Puissance - Max
    500mW
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Autres noms
    1086-20672
    1086-20672-MIL
  • Température de fonctionnement
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    18 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    40 @ 150mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    50nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    800mA

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06035A101GAT4A

06035A101GAT4A

La description: CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0603

Fabricant: AVX Corporation
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