JAN1N6625

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N6625
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N6625.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1A
Séries

Military, MIL-PRF-19500/585
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

A, Axial
Autres noms

1086-19974
1086-19974-MIL
Température d'utilisation - Jonction

30ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JAN1N6625
Description élargie

Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole
Configuration diode

1µA @ 1000V
La description

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

1.75V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1000V (1kV)
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N6625".

JAN1N6623U

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation

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