JAN1N6073

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N6073
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N6073.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

850mA
Tension - Ventilation

A-PAK
Séries

Military, MIL-PRF-19500/503
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

A, Axial
Autres noms

1086-19447
1086-19447-MIL
Température d'utilisation - Jonction

30ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JAN1N6073
Description élargie

Diode Standard 50V 850mA Through Hole A-PAK
Configuration diode

1µA @ 50V
La description

DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

2.04V @ 9.4A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

50V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 155°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N6073".

JAN1N6055A

La description: TVS DIODE 40V 64.8V DO13

Fabricant: Microsemi

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