JAN1N5814

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N5814
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N5814.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

20A
Tension - Ventilation

DO-203AA (DO-4)
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

300pF @ 10V, 1MHz
Polarisation

DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms

1086-15835
1086-15835-MIL
Température d'utilisation - Jonction

35ns
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JAN1N5814
Description élargie

Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Configuration diode

10µA @ 100V
La description

DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
Courant - fuite, inverse à Vr

950mV @ 20A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

100V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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JAN1N5811URS

La description: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi

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