JAN1N5194

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N5194
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N5194.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

200mA (DC)
Tension - Ventilation

DO-35
Séries

Military, MIL-PRF-19500/118
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms

1086-15754
1086-15754-MIL
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JAN1N5194
Description élargie

Diode Standard 70V 200mA (DC) Through Hole DO-35
Configuration diode

1.25mA @ 80V
La description

DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
Courant - fuite, inverse à Vr

1V @ 100mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

70V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 170°C

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livraison
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JAN1N5190

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi

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