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JAN1N459

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N459
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 150MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N459.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

150mA
Tension - Ventilation

DO-35
Séries

Military, MIL-PRF-19500/193
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms

1086-15729
1086-15729-MIL
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JAN1N459
Description élargie

Diode Standard 200V 150mA Through Hole DO-35
Configuration diode

1µA @ 200V
La description

DIODE GEN PURP 200V 150MA DO35
Courant - fuite, inverse à Vr

1V @ 100mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

200V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N459".

JAN1N4614 (DO35)

La description: DIODE ZENER 1.8V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi Corporation

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