JAN1N3768R

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N3768R
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N3768R.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.4V @ 110A
Tension - inverse (Vr) (max)

1000V
Package composant fournisseur

DO-5
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/297
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms

1086-16821
1086-16821-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard, Reverse Polarity
Description détaillée

Diode Standard, Reverse Polarity 1000V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

35A
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N3768R".

JAN1N3646

La description: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Fabricant: Microsemi

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