JAN1N1206AR

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N1206AR
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N1206AR.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.35V @ 38A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-203AA (DO-4)
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/260
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms

1086-16259
1086-16259-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard, Reverse Polarity
Description détaillée

Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

12A
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N1206AR".

4185

La description: POST BIND STD 4 3/4"L GL EPOXY

Fabricant: Keystone Electronics Corp.

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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