DME375A

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Spécifications

Modèle de produit

DME375A
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS RF BIPO 875W 30A 55AW1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DME375A.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

55V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

55AW
Séries

-
Puissance - Max

375W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

55AW
Température de fonctionnement

200°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

6.5dB
Fréquence - Transition

1.025GHz ~ 1.15GHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 55V 30A 1.025GHz ~ 1.15GHz 375W Chassis Mount 55AW
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

30A

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livraison
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DME2W5P6K-F

La description: CAP FILM 5.6UF 10% 250VDC RADIAL

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics

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