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APTMC60TLM55CT3AG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APTMC60TLM55CT3AG
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 2mA (Typ)
  • Package composant fournisseur
    SP3
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    49 mOhm @ 40A, 20V
  • Puissance - Max
    250W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SP3
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1900pF @ 1000V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    98nC @ 20V
  • type de FET
    4 N-Channel (Three Level Inverter)
  • Fonction FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tension drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Description détaillée
    Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 48A (Tc) 250W Chassis Mount SP3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    48A (Tc)
Y006280K0000B0L

Y006280K0000B0L

La description: RES 80K OHM 0.6W 0.1% RADIAL

Fabricant: Vishay Precision Group
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