APTM50DAM35TG

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Spécifications

Modèle de produit

APTM50DAM35TG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 500V 99A SP4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTM50DAM35TG.pdf
2.APTM50DAM35TG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SP4
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 49.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

781W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP4
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 99A (Tc) 781W (Tc) Chassis Mount SP4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

99A (Tc)

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APTM50DAM38TG

La description: MOSFET N-CH 500V 90A SP4

Fabricant: Microsemi

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