APTM120A80FT1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTM120A80FT1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTM120A80FT1G.pdf
2.APTM120A80FT1G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur

SP1
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

960 mOhm @ 12A, 10V
Puissance - Max

357W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6696pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

14A

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Ce qui suit est des produits liés à "APTM120A80FT1G".

APTM10UM02FAG

La description: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Fabricant: Microsemi

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