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APTM100VDA35T3G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APTM100VDA35T3G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Package composant fournisseur
    SP3
  • Séries
    POWER MOS 7®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    420 mOhm @ 11A, 10V
  • Puissance - Max
    390W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SP3
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    5200pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    186nC @ 10V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Fonction FET
    Standard
  • Tension drain-source (Vdss)
    1000V (1kV)
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    22A

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961404-8040704-AR

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Fabricant: 3M
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