APTM100H80FT1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTM100H80FT1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTM100H80FT1G.pdf
2.APTM100H80FT1G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Package composant fournisseur

SP1
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

960 mOhm @ 9A, 10V
Puissance - Max

208W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3876pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
type de FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

1000V (1kV)
Description détaillée

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A

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Ce qui suit est des produits liés à "APTM100H80FT1G".

APTM100U13SG

La description: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Fabricant: Microsemi

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