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APTGT20TL601G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APTGT20TL601G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOD IGBT 600V 32A SP1
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    APTGT20TL601G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 20A
  • Package composant fournisseur
    SP1
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    62W
  • Package / Boîte
    SP1
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC thermistance
    No
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
    1.1pF @ 25V
  • Contribution
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • Description détaillée
    IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    250µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    32A
  • Configuration
    Three Level Inverter

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MXPLAD15KP58AE3

MXPLAD15KP58AE3

La description: TVS DIODE 58V 93.6V PLAD

Fabricant: Microsemi
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