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APTGT100DH170G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APTGT100DH170G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    1700V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 100A
  • Package composant fournisseur
    SP6
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    560W
  • Package / Boîte
    SP6
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC thermistance
    No
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
    9nF @ 25V
  • Contribution
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • Description détaillée
    IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP6
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    350µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    150A
  • Configuration
    Asymmetrical Bridge

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RV2C010UNT2L

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La description:

Fabricant: ROHM
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