APTGLQ50TL65T3G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGLQ50TL65T3G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MODULE - IGBT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGLQ50TL65T3G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur

SP3F
Séries

-
Puissance - Max

175W
Package / Boîte

Module
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 650V 70A 175W Chassis Mount SP3F
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

70A
Configuration

Three Level Inverter

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APTGLQ30H65T3G

La description: POWER MODULE - IGBT

Fabricant: Microsemi

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