APTGLQ100A120TG

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Spécifications

Modèle de produit

APTGLQ100A120TG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MODULE - IGBT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGLQ100A120TG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur

SP4
Séries

-
Puissance - Max

520W
Package / Boîte

Module
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

6.15nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 170A 520W Chassis Mount SP4
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

170A
Configuration

Half Bridge

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livraison
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APTGLQ150H120G

La description: POWER MODULE - IGBT

Fabricant: Microsemi

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