APTGL40H120T1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGL40H120T1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOD IGBT 1200V 65A SP1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGL40H120T1G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A
Package composant fournisseur

SP1
Séries

-
Puissance - Max

220W
Package / Boîte

SP1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

1.95nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 65A 220W Chassis Mount SP1
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

65A
Configuration

Full Bridge

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTGL40H120T1G".

APTGL475U120DAG

La description: POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6

Fabricant: Microsemi

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