APTGF50H60T2G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGF50H60T2G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGF50H60T2G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur

SP3
Séries

-
Puissance - Max

250W
Package / Boîte

SP3
Température de fonctionnement

-
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

65A
Configuration

Full Bridge Inverter

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTGF50H60T2G".

APTGF50DH60TG

La description: IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

Fabricant: Microsemi

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