APT8M100B

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Spécifications

Modèle de produit

APT8M100B
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT8M100B.pdf
2.APT8M100B.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

290W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1885pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "APT8M100B".

APT85GR120J

La description: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Fabricant: Microsemi

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