APT6017LLLG

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Spécifications

Modèle de produit

APT6017LLLG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT6017LLLG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

4500pF @ 25V
Tension - Ventilation

TO-264 [L]
Vgs (th) (Max) @ Id

170 mOhm @ 17.5A, 10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Séries

POWER MOS 7®
État RoHS

Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35A (Tc)
Polarisation

TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

APT6017LLLG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

100nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5V @ 2.5mA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

600V
Ratio de capacité

500W (Tc)

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APT6030BN

La description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Fabricant: Microsemi

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