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APT56F50B2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT56F50B2
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    T-MAX™ [B2]
  • Séries
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 28A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    780W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3 Variant
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    21 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    8800pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    500V
  • Description détaillée
    N-Channel 500V 56A (Tc) 780W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    56A (Tc)
RER45F1R47RCSL

RER45F1R47RCSL

La description: RES CHAS MNT 1.47 OHM 1% 10W

Fabricant: Dale / Vishay
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