APT50GF120B2RG

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Spécifications

Modèle de produit

APT50GF120B2RG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 135A 781W TMAX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT50GF120B2RG.pdf
2.APT50GF120B2RG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A
Condition de test

800V, 50A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

25ns/260ns
énergie de commutation

3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
Séries

-
Puissance - Max

781W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

NPT
gate charge

340nC
Description détaillée

IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

150A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

135A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT50GF120B2RG".

APT50GN120L2DQ2G

La description: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Fabricant: Microsemi

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