APT45GR65B2DU30

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Spécifications

Modèle de produit

APT45GR65B2DU30
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT45GR65B2DU30.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A
Condition de test

433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

15ns/100ns
Package composant fournisseur

T-MAX™ [B2]
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

80ns
Puissance - Max

543W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

NPT
gate charge

203nC
Description détaillée

IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

224A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

118A

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "APT45GR65B2DU30".

APT47F60J

La description: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Fabricant: Microsemi

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