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876410APT34N80B2C3G imageMicrosemi

APT34N80B2C3G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT34N80B2C3G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT34N80B2C3G.pdf
    2.APT34N80B2C3G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 2mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    T-MAX™ [B2]
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    145 mOhm @ 22A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    417W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3 Variant
  • Autres noms
    APT34N80B2C3GMI
    APT34N80B2C3GMI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4510pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    355nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    800V
  • Description détaillée
    N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    34A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APT34N80B2C3G".
SIT8918AA-13-33E-10.000000E

SIT8918AA-13-33E-10.000000E

La description: OSC MEMS 10.0000MHZ LVCMOS SMD

Fabricant: SiTime
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