APT32F120J

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Spécifications

Modèle de produit

APT32F120J
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT32F120J.pdf
2.APT32F120J.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

320 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)

960W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

21 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

18200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1200V
Description détaillée

N-Channel 1200V 33A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

33A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "APT32F120J".

566104-2

La description: STD HBEAPR160T K

Fabricant: Agastat Relays / TE Connectivity

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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