APT150GT120JR

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Spécifications

Modèle de produit

APT150GT120JR
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 170A 830W SOT227
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT150GT120JR.pdf
2.APT150GT120JR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

Thunderbolt IGBT®
Puissance - Max

830W
Package / Boîte

ISOTOP
Autres noms

APT150GT120JRMI
APT150GT120JRMI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

150µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

170A
Configuration

Single

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT150GT120JR".

APT15D100BG

La description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Fabricant: Microsemi

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