APT13GP120BDQ1G

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Spécifications

Modèle de produit

APT13GP120BDQ1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

IGBT 1200V 41A 250W TO247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT13GP120BDQ1G.pdf
2.APT13GP120BDQ1G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A
Condition de test

600V, 13A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

9ns/28ns
énergie de commutation

115µJ (on), 165µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

POWER MOS 7®
Puissance - Max

250W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

APT13GP120BDQ1GMI
APT13GP120BDQ1GMI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

PT
gate charge

55nC
Description détaillée

IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

50A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

41A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT13GP120BDQ1G".

APT13005TF-G1

La description: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Fabricant: Diodes Incorporated

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