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Spécifications

Modèle de produit

2N6849
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N6849.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-39
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

320 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

800mW (Ta), 25W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-205AF Metal Can
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

34.8nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.5A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "2N6849".

2N683A

La description: SCR THYRISTOR TO48

Fabricant: Central Semiconductor

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