2N5581

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Spécifications

Modèle de produit

2N5581
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

TRANS NPN 50V 0.8A TO46
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N5581.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-46 (TO-206AB)
Séries

-
Puissance - Max

500mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Autres noms

1086-21055
1086-21055-MIL
Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-46 (TO-206AB)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

800mA

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Ce qui suit est des produits liés à "2N5581".

2N5639

La description: JFET N-CH 30V 0.35W TO92

Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor

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