2N4449UB

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Spécifications

Modèle de produit

2N4449UB
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

NPN TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N4449UB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

UB
Séries

Military, MIL-PRF-19500/317
Puissance - Max

360mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

-
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 360mW Surface Mount UB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

400nA

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "2N4449UB".

2N4416A

La description: JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

Fabricant: Central Semiconductor

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