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2N3636

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Spécifications
  • Modèle de produit
    2N3636
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PNP 175V 1A
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    2N3636.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    175V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 50mA
  • Transistor Type
    PNP
  • Package composant fournisseur
    TO-39
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    1W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Autres noms
    1086-20879
    1086-20879-MIL
  • Température de fonctionnement
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 50mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    10µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    1A

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Ce qui suit est des produits liés à "2N3636".
M55-7105042R

M55-7105042R

La description: CONN HDR 1.27MM SMD R/A 50POS

Fabricant: Harwin
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