2N3507AU4

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Spécifications

Modèle de produit

2N3507AU4
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

NPN TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N3507AU4.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

U4
Séries

Military, MIL-PRF-19500/349
Puissance - Max

1W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

3-SMD, No Lead
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 1W Surface Mount U4
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A

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2N3507AL

La description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

Fabricant: Microsemi

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