2N2907AE4

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Spécifications

Modèle de produit

2N2907AE4
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
État sans plomb / État RoHS

Conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N2907AE4.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-18
Séries

-
Statut RoHS

RoHS Compliant
Puissance - Max

500mW
Package / Boîte

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

600mA

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Ce qui suit est des produits liés à "2N2907AE4".

2N2914

La description: TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6

Fabricant: Central Semiconductor

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