23A025

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Spécifications

Modèle de produit

23A025
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS RF BIPO 9W 1.2A 55BT2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

23A025.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

22V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

55BT
Séries

-
Puissance - Max

9W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

55BT
Température de fonctionnement

200°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)

-
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

6dB ~ 6.3dB
Fréquence - Transition

3.7GHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 22V 1.2A 3.7GHz 9W Chassis Mount 55BT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 420mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1.2A

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Ce qui suit est des produits liés à "23A025".

23A1024T-I/ST

La description: IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP

Fabricant: Micrel / Microchip Technology

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